отжиг после ионной имплантации

См. также в других словарях:

• ЛАЗЕРНЫЙ ОТЖИГ — в узком, первонач. смысле восстановление под действием лазерного излучения кристаллич. структуры приповерхностных слоев полупроводников, нарушенной ионной имплантацией; открыт в 1975 в СССР [1]. Под Л. о. в широком смысле понимают структурные… …   Физическая энциклопедия

• РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ — структурные повреждения, образующиеся при облучении тв. тел потоками ч ц и жёстким электромагн. (гамма и рентгеновским) излучением. Переданная тв. телу энергия расходуется (частично) на разрыв межатомных связей. Для образования простейшего Р. д.… …   Физическая энциклопедия

• Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы  вещества с чётко в …   Википедия

• ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с одной стороны пластины (подложки), вырезанной из монокристалла. П. т. основа микроэлектроники,… …   Химическая энциклопедия

• Легировка — Легирование (нем. legieren  сплавлять, от лат. ligo  связываю, соединяю)  введение в расплав или шихту дополнительных элементов (например, в сталь  хрома, никеля, молибдена, вольфрама, ванадия, ниобия, титана), улучшающих механические, физические …   Википедия

• Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… …   Википедия